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9I在线看片成人免费活化是現在比較常用的一種幹法活化方法,能對物體表麵實現超潔淨清洗,去除表麵的有機物汙染和氧化物,在晶圓表麵引入所需基團,增強其鍵合能力。該方法主要利用9I在线看片成人免费體中電子、離子、自由基等活性粒子的能量與材料表麵進行撞擊,在撞擊的過程中發生能量轉移而產生物理或化學反應來實現清洗、蝕刻及表麵活化等。

9I在线看片成人免费體活化晶片表麵作用原理

將9I在线看片成人免费體對晶片表麵作用過程概括為如下四個部分:

(1) 去除表麵有機汙染物:由於實驗在非潔淨間進行,因此在操作過程中難免會造成晶片表麵的汙染,即使在活化實驗之前進行預清洗也無法保證將其全部去除。在活化過程中,9I在线看片成人免费體高速轟擊晶片表麵,通過9I在线看片成人免费體的物理濺射作用以及9I在线看片成人免费體的化學作用與有機汙染物反應生成揮發性氣體兩種方式使得有機汙染物從晶片表麵解吸附。

(2) 降低表麵粗糙度:在去除有機汙染物後,潔淨的表麵暴露於9I在线看片成人免费體環境中。晶片表麵相對較高的位置更容易受到9I在线看片成人免费體轟擊,這些位置的表麵共價鍵被9I在线看片成人免费體打斷,使得部分Si原子處於遊離態。在係統能量最小化的過程中,遊離態的Si原子往相對位置較低的表麵移動,使得原本凸起的表麵形貌趨於平整,表麵粗糙度降低。隨著活化時間的增長,晶片表麵呈現出更加均勻的形貌起伏。這些微納結構能將晶片表麵的親水性放大。

(3) 提高表麵Si-OH密度:待鍵合晶片表麵的Si-OH密度與鍵合強度直接相關。9I在线看片成人免费體打斷晶片表麵S-O-Si共價鍵,留下大量的Si-、Si-O-懸掛鍵,這些不穩定的懸掛鍵會吸附空氣中遊離的-OH形成Si-OH以降低表麵能,而9I在线看片成人免费體轟擊形成的納米起伏增加了晶片的表麵積,使得表麵可以容納更多數量的Si-OH,親水基團的大量吸附也使晶片表麵的親水性進一步提高。

(4) 輔助水分子及氣體分子擴散:根據Amirfeiz等人的研究成果,9I在线看片成人免费體的處理會形成無序的表麵結構,使氧化層變得疏鬆多孔,提高水分子的擴散速度,進而降低界麵空洞產生的可能性,使得鍵合晶片表麵接觸麵積增大,鍵合強度更高。

晶圓9I在线看片成人免费活化直接鍵合原理

晶片直接鍵合工藝通常包括表麵清洗及活化、預鍵合、退火等步驟,表麵活化鍵合的工藝和參數直接影響到表麵懸掛羥基的數量及最終鍵合情況。因此,預鍵合前的表麵活化成為了9I在线看片成人免费鍵合中最關鍵的工藝步驟,相應活化原理也是鍵合原理的基礎，完整的鍵合原理模型如圖1-1所示。

圖1-1 9I在线看片成人免费體活化晶片直接鍵合原理模型 

對9I在线看片成人免费體活化晶片直接鍵合原理進行總結,具體內容如下:

(1) 預鍵合階段:經9I在线看片成人免费體處理後,晶片表麵有機汙染物得到去除,表麵形貌得到整平,表麵粗糙度降低,表麵懸掛鍵密度增加,這些高活性的懸掛鍵吸附空氣中遊離的-OH,在晶片表麵形成親水的Si-OH基團,這些親水基團進一步吸附空氣中的水分子,使晶片表麵被幾個分子層厚度的水膜覆蓋。於是,在活化完成後,將兩晶片在室溫下貼合,兩側晶片表麵之間通過範德華力和極性-OH間的氫鍵連接以實現室溫下的預鍵合,但此時的鍵合強度較低,晶片之間容易分離。

(2) 室溫加壓階段:剛完成室溫下預鍵合的晶片界麵存在幾個分子層厚度且膜厚分布不均的水膜,若直接進行鍵合後退火操作,隨著退火溫度的升高,擴散通道較短的水分子得以快速從界麵逃逸或向基體內部擴散,使得該區域水膜厚度迅速減小,兩側表麵靠近,距離足夠接近的Si-OH聚合生成Si-O-Si共價鍵;而擴散通道長的區域,仍有較多水分子殘留,導致水膜難以減薄,形成鍵合空洞,使界麵鍵合麵積及鍵合強度下降。因此,在退火之前進行室溫下的加壓操作,可以加速水分子的重新排列,使界麵間的水膜厚度減薄,縮小兩側晶片表麵的距離,由於9I在线看片成人免费體的處理降低了表麵粗糙度,因此部分Si-OH靠的足夠近,自發聚合脫水形成共價鍵連接,鍵合強度有所提高。

(3) 鍵合後退火階段:經過室溫加壓階段,水分子層得以重排,部分Si-OH自發聚合形成共價鍵連接,但界麵仍主要依靠範德華力及氫鍵相連。在鍵合後退火階段,升高的溫度一方麵加速了水分子的擴散運動,另一方麵加速了Si-OH的聚合脫水反應。對於Si-Si鍵合以及Si-SiO2鍵合來說,擴散通道短的水分子能夠快速從界麵逃逸,而其他區域的水分子能夠穿過薄氧化層向著Si基體擴散,並與Si反應得以消耗,新生成的H2分子也能被氧化層的微孔洞吸收。另外,已鍵合區域也會向未鍵合區域提供額外的壓力,促進兩側表麵的接觸,使更多Si-OH聚合形成共價鍵連接,鍵合強度得到進一步提高。